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武汉纺织大学
2013 年招收硕士学位研究生试卷
科目代码 839 科目名称 电力电子技术
考试时间 2013 年 1 月 6 日下午 报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分
得分
本试卷总分 150 分，考试时间 3 小时。
一、填空题（每题 1 分，共 19 分）
1、电力电子器件 SCR、GTO、GTR、MOSFET 中， 属于电压
型驱动， 属于电流型驱动。
2、IGBT 管的反向电压承受能力很低，因此，IGBT 模块总是将 同 IGBT
管反并联地封装在一起。
3、常用的变流电路有： ， ，斩波， 交交变换。
4、PWM 逆变根据载波和调制波的同步关系可分为 和 。
5、晶闸管变流电路实现有源逆变的的条件有 2： ； 。
6、缓冲电路可抑制电力电子器件的内因 或者 ，减小器件的
开关损耗。
7、一个晶闸管接在 220V 交流回路中，通过器件的电流有效值为 100A，则选择
该晶闸管的额定电流为 。（考虑 1.5~2 倍的安全裕量）
8、单相桥式全控整流电路带阻感负载，负载并联续流二级管，设交流侧输入电
压有效值为 U2，则晶闸管承受的最大正向电压为 ，最大反向电压
为 。
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