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第 1 页 共 2 页 杭州电子科技大学 全国硕士研究生入学考试业务课考试大纲 考试科目名称:半导体物理 科目代码:846 一、物理基础 1. 晶体中原子的结合。 2. 晶体结构与对称性。 3. 常见晶体结构。 4. 晶格振动与声子。 5. 光学声子与声学声子。 二、半导体材料的能带结构 1. 能带的形成。 2. 导带、价带、禁带及禁带宽度。 3. 材料的导电性能与能带结构的关系。 4. 直接带隙与间接带隙。 5. 导带电子与价带空穴,载流子。 6. 电子与空穴的有效质量。 7. 施主与受主,类氢原子近似。 8. P 型、N 型和本征半导体材料的特点。 9. 杂质对半导体导电性能的影响。 三、半导体材料的电学性能 1. 外场下半导体材料中载流子的运动形式。 2. 半导体材料的迁移率与电导率。 3. 半导体材料的电学性能随温度的变化。 4. 半导体材料的电学性能随杂质浓度的变化。 5. 半导体材料的光电导与非平衡载流子。 6. 半导体材料的霍尔效应。 7. 半导体材料的热电现象。 四、半导体器件 1. PN 结的结构与电学性能,I-V 曲线。 2. MOS 器件的结构、工作原理及电学性能特点。 3. 双极型三极管的结构、工作原理及电学性能特点 4. 发光二极管的工作原理。 5. 太阳能电池的工作原理。 6. 半导体温度传感器的工作原理。 五、半导体材料分析测试技术 1. 半导体材料禁带宽度的测量方法。 2. 半导体材料中杂质电离能的测量。 3. 半导体材料载流子浓度的测量方法。 4. 半导体材料电阻率的测量。 5. 半导体材料中载流子迁移率的测量方法。 第 2 页 共 2 页 6. 半导体材料中少数载流子寿命的测量方法。 参考书目:《半导体物理》(第 1 版),季振国编,浙江大学出版社, 2005.9
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