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《数字集成电路设计基础》博士入学考试大纲
一、考试内容
1、 引言
集成电路设计基础。
2、制造工艺
MOS 晶体管制造工艺，了解芯片封装工艺。
3、器件
半导体器件，MOS 管工作特点，器件模型。
4、CMOS 反相器
反相器的电气特性，反相器性能指标的定量分析，反相器设计的优化，工艺缩小对于设
计的影响。
5、设计组合电路
CMOS 逻辑门系列――静态和动态、传输晶体管、无比和有比逻辑，优化逻辑门的方法，
新型低功耗高性能电路的设计技术。要求掌握组合 CMOS 数字电路的特点和性能，包括
CMOS 数字电路的面积、速度和功耗，掌握一些可以明显提高电路性能的逻辑类型。
6、设计时序电路
寄存器、锁存器、触发器、振荡器、脉冲发生器和施密特触发器的实现，静态与动态电
路实现的比较，时钟策略的选择。要求掌握时序模块的 CMOS 实现方法，学会选择合适
的时序电路和时钟方法，以优化电路的性能、功耗和设计复杂性。
7、晶体管和版图
晶体管的结构、特性，版图的设计方法，版图设计规则以及设计规则的制定原则。要求
掌握晶体管的结构及其特性，熟悉版图设计的基本概念和相关技术，了解基本的版图规
则。
8、线
互联线的电路模型，互联参数的量化，导线的 SPICE 模型，工艺尺寸的减小及它对互联
的影响。要求掌握现代半导体工艺中互联线的作用和特征，了解导线相关的寄生参数（电
容、电阻、电感）。
9、ASIC 介绍
ASIC 类型，设计流程，ASIC 经济学，ASIC 单元库。
10、基于包的 ASIC 设计
门阵列与标准单元设计方法，库单元设计，库结构，布局布线，I/O 单元，PAD，封装技
术。
11、数据通路
数据通路，加法器，乘法器，移位器等基本运算功能块
12、存储器
存储器内核，存储器外围电路等
二、考试题型
分析论述题、计算题、推导题、作图题
三、考试形式
笔试、闭卷，考试时间为 180 分钟，试卷满分为 100 分。
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