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桂林电子科技大学 2015 年研究生统一入学考试试题
科目代码：813 科目名称：材料科学基础 A
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
1. 列式计算面心立方晶胞的致密度（Atomic Packing Factor）。（本题 15 分）
2. 如图 1 所示某晶胞示意图，请作图标出坐标为(1/4,1, 1/2)的点。（本题 15 分）
图 1 某晶胞示意图
3 计算每立方米 Cu 在 1000℃时的平衡空位数量。已知空位形成能为 0.9eV/atom； 1000℃时
铜的的原子量和密度分别为 63.5g/mol 和 8.4g/cm
3
；玻尔兹曼常数 K 为 8.62×10
-5
eV/K。(本
题 15 分)
4. 已知 Cu 晶体的点阵常数 a=0.35nm，切变模量 G=4×10
4
Mpa。有一位错 ]011[
2
a
b ，其
位错线方向为 ]011[
，试计算该位错的应变能。(本题 15 分)
5. 为研究稳态条件下间隙原子在面心立方金属中的扩散情况，在厚 0.25mm 的金属薄膜的一
个端面（面积 1000mm2）保持对应温度下的饱和间隙原子，另一端面为间隙原子为零。测得
下列数据：
温度（K） 薄膜中间隙原子的溶解度
（kg/m3
）
间隙原子通过薄膜的速率
（g/s）
1223 14．4 0.0025
1136 19．6 0.0014
计算在这两个温度下的扩散系数和间隙原子在面心立方金属中扩散的激活能。(本题 25 分)
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