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2020年宁波大学博士研究生招生考试初试科目考试大纲
一、考试形式与试卷结构
（一）试卷满分值及考试时间
本试卷满分为100分，考试时间为180分钟。
（二）答题方式
答题方式为闭卷、笔试。试卷由试题和答题纸组成；答案必须写在答题纸（由考点提供）相应的位置上。
（三）试卷内容结构
考试内容包括半导体的电子状态、半导体中的载流子及其导电性、PN结和金半接触、半导体光电、热电、磁电及压阻效应。
（四）试卷题型结构
1. 选择题
2. 名词解释
3. 简答题
4. 计算题
二、考查目标
课程考试的目的在于考察考生对半导体物理的基本概念、基本理论和基本分析方法的理解和掌握程度以及利用其解决半导体物理领域相关问题的能力。
三、考查范围或考试内容概要
1、半导体晶体结构和半导体的结合性质；
2、半导体中的电子状态：半导体能带的形成，Ge、Si、GaAs能带结构，有效质量、空穴、杂质和缺陷能级；
3、热平衡下半导体载流子的统计分布：状态密度、费米能级、本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
4、半导体的导电性：半导体导电原理，载流子的漂移运动、迁移率、散射机构，半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律，强电场效应、热载流子，负阻效应；
5、pn结：平衡pn结特点及其能带图，pn结的I-V特性、电容特性、开关特性、击穿特性；
6、金属和半导体接触：半导体表面态，表面电场效应，金属与半导体接触特性、MIS结构电容-电压特性，
7、半导体异质结：异质结的形成机理、能带图；
8、半导体热电、磁电及压阻效应：半导体热传导及热电效应，半导体的霍耳效应，半导体的压阻效应。
参考教材或主要参考书：
《半导体物理学》刘恩科，电子工业出版社，2011.
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