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《半导体器件原理》专业课程考试大纲
《半导体器件原理》包括半导体器件的物理基础，双极型和MOS场效应晶体管的工作原理、特性和模型，以及影响器件特性的主要因素和一些常见非理想效应。
考试题型：名词解释、推导题、计算题
总分：150分
一.半导体的电子状态
1.半导体的晶体结构、晶列晶面指数、结合性质
2.半导体中的电子状态和能带
3.载流子在外场下的运动规律
4.杂质和缺陷能级
二.半导体的载流子统计
1.状态密度和统计分布函数
2.本征半导体、杂质半导体、简并半导体的统计
三.半导体的载流子输运
1.载流子的散射
2.迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
3.强电场下的输运
4.霍耳效应
四.非平衡载流子
1.非平衡载流子的直接复合与间接复合
2.陷阱效应
3.载流子的扩散运动、双极扩散
4.连续性方程
五.pn结、金半接触以及异质结
1.平衡pn结的特性
2.pn结的电流-电压特性
3.pn结的势垒电容与扩散电容
4.pn结的开关特性
5.pn结的击穿
6.金半接触能带图以及电流-电压特性
7.欧姆接触
8.异质结能带图以及二维电子气
六.双极型晶体管的直流特性
1.双极型晶体管的基本原理
2.双极型晶体管的直流特性及其非理想现象
3漂移晶体管的直流特性
4.双极型晶体管的反向特性
5.Ebers-Moll方程
七.双极型晶体管的频率特性与开关特性
1.低频小信号等效电路
2.放大系数的频率特性以及相关的几个时间常数
3.高频等效电路
4漂移晶体管、异质结双极型晶体管的基本原理
5.电荷控制理论与双极型晶体管开关时间
八.半导体表面与MOS结构
1.半导体表面空间电荷层的性质
2.实际Si-SiO2界面
3.理想与实际MOS结构的C-V特性
九.MOS场效应晶体管的直流特性
1.MOSFET的结构和工作原理
2.MOSFET的阈值电压以及影响因素
3.MOSFET的输出特性和转移特性（包括亚阈值特性和其它二级效应）
4.MOSFET的直流参数
5.MOSFET的击穿特性
6.MOSFET的小尺寸效应原理
7.载流子速度饱和以及短沟道MOSFET的直流特性
8.MOSFET的按比例缩小规律
十.MOSFET的频率特性与开关特性
1.MOSFET的交流小信号等效电路
2.MOSFET的高频特性
3.常见MOS倒相器及其开关特性
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