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广东工业大学
全日制研究生招生考试专业课考试大纲
半导体物理
基本内容：（300字以内）
1. 半导体的电子状态： 半导体的晶格结构和能带结构，导带，价带，禁带宽度，有效质量、空穴。计算半导体的禁带宽度，电子和空穴的有效质量和准动量。
2.半导体中的杂质和缺陷能级：能用共价键模型和能带模型解释施主杂质和施主杂质的电离过程，受主杂质和受主杂质的电离过程。杂质能级和电离能。
3.半导体中的载流子的统计分布 ：状态密度，费米能级，费米分布函数，计算不同温度和不同掺杂浓度下，半导体中的电子和空穴浓度及费米能级。
4.半导体的导电性：漂移运动和漂移电流，迁移率，散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率与杂质浓度和温度关系
5.载流子的注入与复合：非平衡载流子的产生和复合过程及其复合规律，非平衡少子的寿命，准费米能级、载流子的扩散运动和扩散电流，爱因斯坦关系，用连续性方程求解少子的运动和分布规律。
6半导体的霍耳效应。
题型要求及分数比例：（博士生满分100分，学术型、专业学位硕士生满分150分）
1.基本概念题（30分）
2.填空和判断题（20分）
3.计算题（60分）
4.综合分析题（20分）
5.画图题（20分）（用图形形象表达半导体物理的基本概念和基本物理过程）
参考书目：
刘恩科等，半导体物理学（第7版），电子工业出版社，2008。
注：考生携带特殊工具
简单计算器（不带记忆功能的），简单作图工具（三角尺、直尺、铅笔）
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