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《半导体物理》考试大纲
考试科目名称：半导体物理Ⅱ 考试科目代码：[829]
一、考试要求：
要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体
的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带论、载流子统计分布、载流子输运过程、
p-n 结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运
用分析半导体的光电特性。
二、考试内容：
1）半导体晶体结构和能带论
a: 半导体晶格结构及电子状态和能带
b: 半导体中电子的运动
c: 本征半导体的导电机构
d: 硅和锗及常用化合物半导体的能带结构
2) 杂质半导体理论
a: 硅和锗晶体中的杂质能级
b: 常用化合物半导体中的杂质能级
c: 缺陷、位错能级
3) 载流子的统计分布
a: 状态密度与载流子的统计分布
b: 本征与杂质半导体的载流子浓度
c: 一般情况下载流子统计分布
d: 简并半导体
4) 半导体的导电性
a: 载流子的漂移运动与散射机构
b: 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
c: 多能谷散射、耿氏效应
5) 非平衡载流子
a: 非平衡载流子的注入、复合与寿命
b: 准费米能级
c: 复合理论、陷阱效应
d: 载流子的扩散、电流密度方程
e: 连续性方程
6) p-n 结理论
a: p-n 结及其能带图
b: p-n 结电流电压特性
c: p-n 结电容、p-n 结隧道效应
7) 金属-半导体接触理论
a: 金-半接触、能带及整流理论
b: 欧姆接触
8) 半导体光电效应
a: 半导体的光学性质（光吸收和光发射）
b: 半导体的光电导效应
c: 半导体的光生伏特效应
d: 半导体发光二极管、光电二极管
三、试卷结构：
a) 考试时间：180 分钟，满分：150 分
b) 题型结构
a:概念及简答题（60 分）
b:论述题（90 分）
c）内容结构
a: 半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论（30 分）
b: 载流子的统计分布 （20 分）
c: 半导体的导电性 （20 分）
d: 非平衡载流子（20 分）
e: p-n 结理论和金属-半导体接触理论 (30 分)
f: 半导体光电效应 (30 分)
四、参考书目
1. 刘恩科，朱秉升，罗晋升编著. 半导体物理学. 电子工业出版社, 2011.03.
2. [美]施敏 （S.M.Sze），半导体器件物理，电子工业出版社，1987.12.
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